Моя заявка (0)
ZXMN2A01E6TA, Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001174840
Артикул
ZXMN2A01E6TA
Бренд
DIODES INC.
Тип
MOSFET
Вес, г
1
Длина
3.1 mm
Серия
ZXMN2
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 710 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V N-Chnl UMOS

Технические параметры

ТипMOSFET
Вес, г1
Длина3.1 mm
СерияZXMN2
Высота1.3 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.8 mm
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5.21 ns
Power Dissipation (Pd)1.1W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)3nC@4.5V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-26-6
Input Capacitance (Ciss@Vds)303pF@15V
Continuous Drain Current (Id)2.5A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора3 nC
Время нарастания5.21 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.1 W
Id - непрерывный ток утечки3.1 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток225 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения7.47 ns
Типичное время задержки при включении2.49 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток700 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация