ZXMN20B28KTC, MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006267053
- Артикул
- ZXMN20B28KTC
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 57.1 ns
- Rise Time:
- 76.9 ns
- Вес, г
- 0.33
Цена по запросу
(от 119,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы ZXMN с улучшенным режимом работы МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN с улучшенным режимом работы - это N-канальные МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, отличающиеся низким сопротивлением при включении, быстрым переключением и высокой лавиноустойчивостью. МОП-транзисторы Diodes Inc. ZXMN идеально подxодят для высокоэффективныx систем управления питанием, включая линейные драйверы SLIC для VoIP-приложений, приводной переключатель трансформатора, управление двигателем, бесперебойное электроснабжение и многое другое.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 57.1 ns |
| Rise Time: | 76.9 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 4.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 44.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.13 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |