ZXMN10A08E6TA, MOSFETs 100V N-Chnl UMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841996
- Артикул
- ZXMN10A08E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.75mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.75mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |