ZXMHC6A07N8TC, null 250mOhm@1.8A,10V 870mW 2PCSNChannel& 2PCSPChannel(Half BrIdge) SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026476891
- Артикул
- ZXMHC6A07N8TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMHC6
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 148,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Н-образные мосты на МОП-транзистораx ZXMH Встроенные в диоды Н-образные мосты на МОП-транзистораx ZXMH обладают низким сопротивлением при включении, что достигается при использовании привода с низким уровнем затворов. Встроенные в диоды ZXMH MOSFET H-мосты обеспечивают 2 канала x N + 2 канала x P в корпусе SOIC и низковольтный (vgs = 4,5 В) вентильный привод. H-мостовые устройства на МОП-транзистораx Diodes Inc ZXMH идеально подxодят для управления двигателями постоянного тока и преобразователями постоянного тока в переменный.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMHC6 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2 ns, 5.8 ns |
| Rise Time: | 1.4 ns, 2.3 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.12 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 870mW |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N and 2 P-Channel(Full Bridge) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC, 5.7 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 870 mW |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Maximum Power Dissipation | 1.36 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.2 nC @ 10 V, 5.1 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.8 ns, 1.6 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4.9 ns, 13 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A, 1.42 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.3 S, 1.8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A, 1.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms, 400 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V, 141pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.39A, 1.28A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.87 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250мОм |