ZXMHC3F381N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546577
- Артикул
- ZXMHC3F381N8TC
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type:
- H-Bridge
- Width
- 4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 131,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type: | H-Bridge |
| Width | 4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | ZXMHC3 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 6.3 ns, 21 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 3.3 ns, 3 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P|N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Quad |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC, 12.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 21 P Channel|6.3 N Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 3 P Channel|3.3 N Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 870 mW |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns, 1.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.5 ns, 30 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.98 A, 4.13 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1350 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 12.7 P Channel|9 N Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12.7 10V P Channel|9 10V N Channel |
| Forward Transconductance - Min: | 11.8 S, 14 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ, 80 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 1.9 P Channel|2.5 N Channel |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A, 4.98 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 P Channel|11.5 N Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms, 55 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.36 P Channel|3.98 N Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 670 15V P Channel|430 15V N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 55 10V P Channel|33 10V N Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.033 Ом |