ZXMHC3A01T8TA, SM-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017594254
- Артикул
- ZXMHC3A01T8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 2PCSNChannel+2PCSPChannel
- Type:
- Enhancement Mode Dual Channel
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 334,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 2PCSNChannel+2PCSPChannel |
| Type: | Enhancement Mode Dual Channel |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMHC3A |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2.3 ns |
| Rise Time: | 2.3 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SM |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SM-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.9 nC, 2.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.3W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.7A;2A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A, 2.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ, 330 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.8 A, 3.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms, 330 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120mΩ@2.5A, 10V |