Моя заявка (0)

ZXMC3F31DN8TA,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm

ZXMC3F31DN8TA,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637148
Артикул
ZXMC3F31DN8TA
Бренд
DIODES INC.
Case
SO8
Mounting
SMD
Вес, г
0.001
Серия
ZXMC3
Цена по запросу
(от 144 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V S08 Dual МОП-транзистор 20V VBR 4.5V Gate

Технические параметры

CaseSO8
MountingSMD
Вес, г0.001
СерияZXMC3
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationunipolar
Drain current4.5/-7A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation2.1W
Kind of transistorcomplementary pair
Type of transistorN/P-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.024/0.046Ω
Drain-source voltage30/-30V
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns, 21 ns
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - заряд затвора12.9 nC, 12.7 nC
Время нарастания3.3 ns, 3 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel, P-Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Id - непрерывный ток утечки7.3 A, 5.3 A
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms, 80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения16 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении2.9 ns, 1.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16.5 S, 14 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.024 Ом

Техническая документация