Моя заявка (0)
ZXMC3F31DN8TA, MOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004585571
Артикул
ZXMC3F31DN8TA
Бренд
DIODES INC.
Case
SO8
Mounting
SMD
Вес, г
0.07
Серия
ZXMC3
Цена по запросу
(от 101,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V S08 Dual МОП-транзистор 20V VBR 4.5V Gate

Технические параметры

CaseSO8
MountingSMD
Вес, г0.07
СерияZXMC3
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationunipolar
Drain current4.5/-7A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation2.1W
Kind of transistorcomplementary pair
Type of transistorN/P-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.024/0.046Ω
Drain-source voltage30/-30V
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns, 21 ns
Особенностиполевая сборка
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - заряд затвора12.9 nC, 12.7 nC
Время нарастания3.3 ns, 3 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel, P-Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Id - непрерывный ток утечки7.3 A, 5.3 A
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток24 mOhms, 80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения16 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении2.9 ns, 1.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V, 3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16.5 S, 14 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация