ZXMC3AMCTA,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637147
- Артикул
- ZXMC3AMCTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- DFN3020B-8
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | DFN3020B-8 |
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | ZXMC3 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 2.9 ns, 7.5 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 2.3 ns, 2.8 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Drain current | 3/-2.2A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN-3020-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.9 nC, 6.4 nC |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 0.18/0.33Ω |
| Drain-source voltage | 30/-30V |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 2.9 N Channel|7.5 P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 2.3 N Channel|2.8 P Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.7 ns, 1.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.6 ns, 11.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A, 2.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2450 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 3.9 N Channel|6.4 P Channel |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S, 2.48 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 1.7 N Channel|1.5 P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 6.6 N Channel|11.3 P Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms, 280 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.9 N Channel|2.1 P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 190 25V N Channel|206 15V P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 120 10V N Channel|210 10V P Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом |