ZXMC3A17DN8TA, MOSFETs 30V Enhancement Mode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841985
- Артикул
- ZXMC3A17DN8TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXMC3
- Fall Time:
- 11.2 ns, 8.7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой ZXMC3A17DN8TA от известного производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж данного транзистора осуществляется методом SMD, что обеспечивает удобство в интеграции на печатную плату. С током стока 5,4 А и напряжением сток-исток 30 В, этот полупроводниковый прибор способен выдерживать мощность до 2,1 Вт. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,05 Ом, гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Экземпляр N+P-MOSFET в корпусе SO8 идеально подойдет для различных применений, требующих надежных и долговечных транзисторов. Код товара ZXMC3A17DN8TA отражает его уникальность и облегчает процесс идентификации и заказа в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 5.4 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2.1 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.05 Корпус SO8
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXMC3 |
| Fall Time: | 11.2 ns, 8.7 ns |
| Rise Time: | 6.4 ns, 2.9 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.2 nC |
| Структура | Enhancement |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns, 1.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns, 29.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |