Моя заявка (0)

ZXMC3A16DN8TC, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -30/30В, -6,4/5,4А, 2,1Вт

ZXMC3A16DN8TC, Транзистор МОП n/Транзистор P-МОП, полевой, полевой, -30/30В, -6,4/5,4А, 2,1Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070210960
Артикул
ZXMC3A16DN8TC
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXMC3A
Fall Time:
9.4 ns
Цена по запросу
(от 154,07 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXMC3A
Fall Time:9.4 ns
Rise Time:6.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17.5 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21.6 ns
Id - Continuous Drain Current:6.4 A, 5.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация