ZXMC10A816N8TC, MOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005061218
- Артикул
- ZXMC10A816N8TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 5 ns, 12 ns
- Rise Time:
- 2.1 ns, 5.2 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой ZXMC10A816N8TC от DIODES INCORPORATED – высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж типа SMD обеспечивает удобство интеграции в печатные платы. Ток стока достигает 2,1 А, обеспечивая хорошую производительность. Напряжение сток-исток составляет до 100 В, что позволяет использовать его в различных схемах. Мощность устройства составляет 2,4 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,23 Ом, способствует высокому КПД. N+P-MOSFET с корпусом SO8 подходит для широкого спектра применений. Код товара для удобства заказа: ZXMC10A816N8TC. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 2.1 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 2.4 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.23 Корпус SO8
Технические параметры
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 5 ns, 12 ns |
| Rise Time: | 2.1 ns, 5.2 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.2 nC, 16.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.2nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns, 4.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 497pF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.1 ns, 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.1 A, 2.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.8 S, 4.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms, 235 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V, 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 230mΩ@10V, 1A |