Моя заявка (0)

ZXM64P02XTA,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.5 A, 0.09 ohm, MSOP, Surface Mount

ZXM64P02XTA,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.5 A, 0.09 ohm, MSOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637112
Артикул
ZXM64P02XTA
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXM64
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 281 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXM64
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:12.3 ns
Rise Time:12.3 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:MSOP-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.9 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:5.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45.5 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:130 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.09 Ом

Техническая документация