ZXM62P03E6TA, Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001009211
- Артикул
- ZXM62P03E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Тип
- MOSFET
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,5А, 0,625Вт, SOT26 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | No |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | ZXM62P0 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Высота | 1.3 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.8 mm |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10.3 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 10.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 6.4 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 806 |
| Qg - заряд затвора | 10.2 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10.2 10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.8 |
| Время нарастания | 6.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 150 10V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.1 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |