ZXM62P02E6TA,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-26, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637110
- Артикул
- ZXM62P02E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | ZXM62 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 19.2 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 15.4 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.8 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 19.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 15.4 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1700 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5.8(Max)@4.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 320@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом |