Моя заявка (0)

ZXM61N02FTC, 20V 1.7A 625mW 0.18Ohm@4.5V,0.93A 700mV@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS

ZXM61N02FTC, 20V 1.7A 625mW 0.18Ohm@4.5V,0.93A 700mV@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044794115
Артикул
ZXM61N02FTC
Бренд
DIODES INC.
Type:
MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXM61N
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXM61N
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:4.2 ns
Rise Time:4.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:625 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:2.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:7.8 ns
Id - Continuous Drain Current:1.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:180 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:700 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация