ZX5T955ZTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 140 V, 3 A, 2.1 W, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016498460
- Артикул
- ZX5T955ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 4.6 mm
- Серия
- ZX5T955
- Высота
- 1.6 mm
Цена по запросу
(от 184 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 4.6 mm |
| Серия | ZX5T955 |
| Высота | 1.6 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Power Dissipation | 2.1Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 45hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 140В |
| DC Усиление Тока hFE | 45hFE |
| Линейка Продукции | ZX Series |
| Частота Перехода ft | 120МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 37 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at - 1 A, - 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 at - 10 A, - 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |