ZX5T953GTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841945
- Артикул
- ZX5T953GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 161 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZX5T953 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|25@3A@1V|15@4A@1V|100@1A@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 140 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 125(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 20 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@400mA@4A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.03@10mA@0.1A|0.09@100mA@1A|0.15@200mA@2A|0.34@400mA@4A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |