Моя заявка (0)

ZX5T853GTA, Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

ZX5T853GTA, Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001209590
Артикул
ZX5T853GTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Длина
6.7 mm (Max)
Серия
ZX5T853
Высота
1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.7 mm (Max)
СерияZX5T853
Высота1.65 mm (Max)
КорпусSOT-223(3 leads+Tab), SC-73, TO-261AA
Ширина3.7 mm (Max)
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности3000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)200 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт3 Вт
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер180 mV
Статический коэффициент передачи тока h21э мин750
Статический коэффициент передачи тока h21э макс750
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц130 МГц
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В100 В