Diodes Inc ZX5T851GTA Transistor, 6 A NPN, 60 V, 4-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8011130029
- Артикул
- ZX5T851GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Mounting
- SMD
- Frequency
- 130MHz
- Pin Count
- 3+Tab
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 130MHz |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZX5T851 |
| Current gain | 100…300 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | TO261 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 6A |
| Power dissipation | 1.2W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 6A |
| Pd - Power Dissipation | 3W |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 60V |
| Maximum Power Dissipation | 12.8 W |
| Transition Frequency (fT) | 130MHz |
| Maximum Operating Frequency | 130 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2A, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 210mV@6A, 300mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |