ZVP4525ZTA, MOSFETs P-Chnl 250V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841940
- Артикул
- ZVP4525ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type:
- FET
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type: | FET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | ZVP4525 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 3.78 ns |
| Lead Shape | Flat |
| Rise Time: | 3.78 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.45 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 7.85 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.78 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.53 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 205 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 2.45 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.45@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±40 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 1.53 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.205 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 73@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 285 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 14000@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -40 V, +40 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |