Моя заявка (0)

ZVP4525GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -0,265А, 2Вт, SOT223

ZVP4525GTA, Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -0,265А, 2Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033518219
Артикул
ZVP4525GTA
Бренд
DIODES INC.
Width
3.7mm
Pin Count
3
Вес, г
0.17
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 175,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Width3.7mm
Pin Count3
Вес, г0.17
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-223
КорпусSOT223
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Typical Gate Charge @ Vgs2.45 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage+40 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage250 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance18 Ω
Maximum Continuous Drain Current260 mA
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В2
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.265
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация