Diodes Inc P-Channel MOSFET, 260 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 ZVP4525GTA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014596441
- Артикул
- ZVP4525GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -0,265А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.45 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |