ZVP4525E6TA, Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001532325
- Артикул
- ZVP4525E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Width
- 1.75mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZVP4525
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 1.75mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVP4525 |
| FET Type | P-Channel |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 6 |
| Vgs (Max) | ±40V |
| Fall Time: | 3.78 ns |
| Rise Time: | 3.78 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.45 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.45 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.53 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.45 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 197 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 73 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 197mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.197 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |