Моя заявка (0)

ZVP4424ZTA, Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

ZVP4424ZTA, Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001290140
Артикул
ZVP4424ZTA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
Case
SOT89
PPAP
No
Type:
FET
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-контактный (3+вкладки) SOT-89 T/R

Технические параметры

TabTab
CaseSOT89
PPAPNo
Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant with Exemption
Series:ZVP4424
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Fall Time:20 ns
Lead ShapeFlat
Rise Time:8 ns
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot-89
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle Dual Drain
Drain current-200mA
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-89
Transistor Type:1 P-Channel
Maximum IDSS (uA)10
Power dissipation1.5W
Product Category:MOSFET
Process TechnologyDMOS
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±40V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance8.8Ω
Drain-source voltage-240V
Transistor Polarity:P-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)8
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-40 V, +40 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)2600
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Gate Source Voltage (V)±40
Typical Turn-On Delay Time (ns)15
Maximum Drain Source Voltage (V)240
Typical Turn-Off Delay Time (ns)26
Rds On - Drain-Source Resistance:9 Ohms
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)200 25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:240 V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)9000 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация