ZVP4424ASTZ, 240V 200mA 750mW 9Ohm@10V,200mA 1 pIece P-channel MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070201307
- Артикул
- ZVP4424ASTZ
- Бренд
- DIODES INC.
- RoHS
- Details
- Type
- FET
- Brand
- Diodes Incorporated
- Type:
- FET
Цена по запросу
(от 168,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | FET |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Type: | FET |
| Width | 2.41 mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Height | 4.01 mm |
| Length | 4.77 mm |
| Series | ZVP4424 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | ZVP4424 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time | 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 8 ns |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Pd - Power Dissipation | 750 mW |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -240 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 240 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |