ZVP4424A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -240В, -0,2А, 750мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047634143
- Артикул
- ZVP4424A
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- P Channel
- Type:
- FET
- Width
- 2.41mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Type: | FET |
| Width | 2.41mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| RDS-on | 9000@10V mOhm |
| Mounting | Through Hole |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.16 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | E-Line |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Typical Fall Time | 20 ns |
| Typical Rise Time | 8 ns |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 750 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 200pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 125 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 240 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@1mA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9Ω@200mA, 10V |