ZVP3310FTA, Type P-Channel MOSFET, 75 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015494139
- Артикул
- ZVP3310FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Width
- 1.4mm
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.4mm |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Process Technology | DMOS |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 8(Max) |
| Typical Rise Time (ns) | 8(Max) |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 330 |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 8(Max) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.075 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 50(Max)@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 20000@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.075 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |