ZVP3306A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -0,16А, 0,625Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073930843
- Артикул
- ZVP3306A
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Width
- 2.41mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZVP3306
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 2.41mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVP3306 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | E-Line |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.625 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |