Моя заявка (0)
ZVP2120GTA, MOSFETs P-Chnl 200V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074094481
Артикул
ZVP2120GTA
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:15 ns
Rise Time:7 ns
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация