Моя заявка (0)

ZVP2110A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -230мА, 700мВт, TO92

ZVP2110A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -230мА, 700мВт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022601441
Артикул
ZVP2110A
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVP2110
FET Type
P-Channel
Цена по запросу
(от 120,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой ZVP2110A от DIODES INCORPORATED – это надежный компонент для электронных схем. Предназначен для монтажа в отверстия (THT), этот N-MOSFET имеет максимальный ток стока 0,23 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 100 В. Его мощность рассеивания составляет 0,7 Вт, что делает его подходящим для множества применений. Компактный корпус TO92 обеспечивает удобство использования в различных устройствах. Используйте ZVP2110A для повышения эффективности и надежности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 0.23 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 0.7 Корпус TO92

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVP2110
FET TypeP-Channel
Product:MOSFET Small Signal
Vgs (Max)±20V
Fall Time:15 ns
Packaging:Bulk
Rise Time:15 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 375mA, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:700 mW
Power Dissipation (Max)700mW(Ta)
Supplier Device PackageTO-92
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Id - Continuous Drain Current:230 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:125 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:8 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C230mA(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация