Diodes Inc P-Channel MOSFET, 450 mA, 60 V, 3-Pin SOT-223 ZVP2106GTA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8870875446
- Артикул
- ZVP2106GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZVP2106
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -0,45А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVP2106 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 6.7мм |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 1.65мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7мм |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | A, P |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3+Tab |
| Id - Continuous Drain Current: | 450 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 450 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичная входная емкость при Vds | 100 пФ при 18 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 7 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 450 мА |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 5 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |