ZVP2106A, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -0,28А, Idm: -4А, 0,7Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062088134
- Артикул
- ZVP2106A
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO92
- Width
- 2.41mm
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 182,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Width | 2.41mm |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.15 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | E-Line |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -0.28A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 0.7W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -4A |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 mA |