ZVP1320FTA, Trans MOSFET P-CH 200V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001221446
- Артикул
- ZVP1320FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSPChannel
- Type:
- FET
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 410 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Type: | FET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVP1320 |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3.5V @ 1mA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 35mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80О© @ 50A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 Ohms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 35mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.035 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |