Diodes N channel vertical DMOS FET, 200 V, 180 mA, TO-226, ZVNL120A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029587779
- Артикул
- ZVNL120A
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZVNL120
- Version
- N channel
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET NFET s серии ZVN. Тип: ZVNL120A, TO92
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVNL120 |
| Version | N channel |
| Assembly | THT |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Enclosure | TO-226 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Power loss | 700 mW |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Max. current | 180 mA |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 200 V |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | vertical dmos fet |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.5x10<sup>-9</sup> C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ω |