Моя заявка (0)

ZVNL110GTA,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 600 mA, 3 ohm, SOT-223, Surface Mount

ZVNL110GTA,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 600 mA, 3 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637100
Артикул
ZVNL110GTA
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
2 ns
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:2 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-223-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:5 ns
Id - Continuous Drain Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:225 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:750 mV
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 Ом

Техническая документация