ZVNL110GTA, MOSFETs N-Chnl 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006313602
- Артикул
- ZVNL110GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 2 ns
- Rise Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 179 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-223-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 225 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 750 mV |