Diodes Inc N-Channel MOSFET, 310 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 ZVN4525GTA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8792774458
- Артикул
- ZVN4525GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Type:
- FET
- Width
- 3.7mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 148,15 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | FET |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVN4525 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-223 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.65nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.25 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 72pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 310mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |