Diodes Inc N-Channel MOSFET, 230 mA, 250 V, 6-Pin SOT-23 ZVN4525E6TA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022278642
- Артикул
- ZVN4525E6TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type:
- FET
- Width
- 1.75mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZVN4525
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 0,23А, 1,1Вт, SOT26 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | FET |
| Width | 1.75mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZVN4525 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.4 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |