Моя заявка (0)

ZVN4310GTA, Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

ZVN4310GTA, Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001585917
Артикул
ZVN4310GTA
Бренд
DIODES INC.
Type
N Channel
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVN4310
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TypeN Channel
Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVN4310
Fall Time:16 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)3W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)350pF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Continuous Drain Current (Id)1.67A
Id - Continuous Drain Current:1.67 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:750 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.67
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация