Моя заявка (0)

ZVN4306GVTA,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Surface Mount

ZVN4306GVTA,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.1 A, 0.22 ohm, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044525823
Артикул
ZVN4306GVTA
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVN4306
Fall Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVN4306
Fall Time:16 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:2.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.22 Ом

Техническая документация