Моя заявка (0)

ZVN4306AV, 60V 1.1A 330mOhm@10V,3A 850mW 3V@1mA 1 N-channel TO-92-3 MOSFETs ROHS

ZVN4306AV, 60V 1.1A 330mOhm@10V,3A 850mW 3V@1mA 1 N-channel TO-92-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044782004
Артикул
ZVN4306AV
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVN4306
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 410 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVN4306
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:25 ns
Packaging:Bulk
Rise Time:25 ns
Вес, г0.45
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:850 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:1.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000

Техническая документация