Моя заявка (0)

ZVN4210GTA, Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

ZVN4210GTA, Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001006888
Артикул
ZVN4210GTA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 90 ₽)
Минимальный заказ: 340 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100 В 0,8 А, 4-контактный (3+вкладки) SOT-223 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Drain
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-223
Process TechnologyDMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)30
Typical Rise Time (ns)8
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)4
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)100(Max)@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1500@10V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация