Моя заявка (0)
ZVN4206GTC, MOSFETs N-Chnl 60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841912
Артикул
ZVN4206GTC
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVN4206
Fall Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 168 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVN4206
Fall Time:15 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация