Моя заявка (0)

ZVN4206ASTZ,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Through Hole

ZVN4206ASTZ,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 600 mA, 1 ohm, E-Line, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637094
Артикул
ZVN4206ASTZ
Бренд
DIODES INC.
Brand
DiodesZetex
Width
2.41mm
Pin Count
3
Mount Type
Through Hole
Цена по запросу
(от 156 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 40 В до 90 В, Diodes Inc.: МОП-транзисторы, диоды, Inc.:

Технические параметры

BrandDiodesZetex
Width2.41mm
Pin Count3
Mount TypeThrough Hole
Вес, г0.001
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeE-Line
Product TypeMOSFET
Mounting TypeThrough Hole
Forward Voltage Vf-4V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardAEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
Standards/ApprovalsNo
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation700 mW
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Power Dissipation Pd700mW
Typical Gate Charge Qg @ Vgs4nC
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance1 Ω
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Continuous Drain Current600 mA
Maximum Drain Source Voltage Vds60V
Maximum Continuous Drain Current Id600mA
Maximum Drain Source Resistance Rds1Ω
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом

Техническая документация