Моя заявка (0)

ZVN4206A,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 600 mA, 1.5 ohm, TO-226AA, Through Hole

ZVN4206A,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 600 mA, 1.5 ohm, TO-226AA, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8629349590
Артикул
ZVN4206A
Бренд
DIODES INC.
Case
TO92
Width
2.41mm
Mounting
THT
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 165 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO92
Width2.41mm
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г0.17
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Package TypeE-Line
Polarisationunipolar
Drain current0.6A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation0.7W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1Ω
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage60V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation700 mW
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance1 Ω
Maximum Continuous Drain Current600 mA
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 Ом

Техническая документация