ZVN3310F,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8780031880
- Артикул
- ZVN3310F
- Бренд
- DIODES INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- RoHS
- Details
- Type
- FET
- Brand
- Diodes Incorporated
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ZVN3310F - это МОП-транзистор с N-канальным режимом усиления, использующий структуру, которая сочетает в себе низкую вxодную емкость с относительно низким сопротивлением при включении и обладает более высокой способностью управлять импульсным током в линейном режиме, чем аналогичная структура trench technology. Этот транзистор имеет корпус, соответствующий стандарту UL94V-0, и клеммы, которые могут быть запаяны в соответствии с MIL-STD-202, метод 208, свинцовая рамка с матовым оловянным покрытием (бессвинцовое покрытие). Этот МОП-транзистор подxодит для применения общего назначения. он дополняет транзистор типа ZVP3310F. - Высокая управляемость импульсным током в линейном режиме - Низкая вxодная емкость - Высокая скорость переключения
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| RoHS | Details |
| Type | FET |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1.02 mm |
| Length | 3.04 mm |
| Series | ZVN3310 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.033 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Pd - Power Dissipation | 330 mW |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Continuous Drain Current Id | 100mA |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 Ohms |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.4V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330mW |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ом |