Моя заявка (0)
ZVN3310ASTZ, MOSFETs N-Chnl 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070114043
Артикул
ZVN3310ASTZ
Бренд
DIODES INC.
Type:
FET
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZVN3310
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 97,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Diodes Incorporated
Series:ZVN3310
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7 ns
Вес, г0.46
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-92-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:625 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6 ns
Id - Continuous Drain Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:10 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация