ZVN3306FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 3А; 0,33Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017547536
- Артикул
- ZVN3306FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- 1PCSNChannel
- Type:
- FET
- Width
- 1.4mm
Цена по запросу
(от 56,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | 1PCSNChannel |
| Type: | FET |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | ZVN3306 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 5 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Process Technology | DMOS |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Power Dissipation (Pd) | 330mW |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 35pF@18V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 150mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 330 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 4 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.15 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 35(Max)@18V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5000@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5Ω@10V, 500mA |