Моя заявка (0)
ZVN2110A, Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A 3-Pin E-Line

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001091997
Артикул
ZVN2110A
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,32А, 700мВт, TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width2.28
Package Height3.9
Package Length4.57
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageE-Line
Process TechnologyDMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-92
Typical Fall Time (ns)13(Max)
Typical Rise Time (ns)8(Max)
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)700
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7(Max)
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13(Max)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.32
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)75(Max)@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)4000@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация